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5G智慧城市交通解決方案
2022-08-30 16:29 威剛電子(上海)貿(mào)易有限公司

導(dǎo)讀:2022年是5G商用的第三年,目前5G已進(jìn)入規(guī)?;瘧?yīng)用關(guān)鍵期。

2022年是5G商用的第三年,目前5G已進(jìn)入規(guī)?;瘧?yīng)用關(guān)鍵期。據(jù)工信部發(fā)布數(shù)據(jù)顯示,截至2022年6月底,中國5G基站數(shù)達(dá)到185.4萬個,已建成全球規(guī)模最大、技術(shù)領(lǐng)先的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。當(dāng)下,5G技術(shù)仍在加速革新。隨著5G網(wǎng)絡(luò)的升級與擴(kuò)容,越來越多的應(yīng)用將鋪展開來,助力智慧生活。

5G智慧燈桿加速智慧城市建設(shè)

作為5G規(guī)模部署的重要載體,智慧燈桿近年來發(fā)展迅速。智慧燈桿是未來物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域重要的信息采集來源,是智慧城市的一個重要組成部分。智慧燈桿不僅可以作為數(shù)據(jù)采集端,也可以作為數(shù)據(jù)終端,它是集:智慧照明、視頻監(jiān)控、交通管理、環(huán)境檢測、無線通信、信息交互、應(yīng)急求助等多功能于一體的新型基礎(chǔ)設(shè)施。

智慧燈桿通過集成傳感器,采集城市信息,這些數(shù)據(jù)可與交通系統(tǒng)、警務(wù)管理系統(tǒng)、財政管理系統(tǒng)和采購系統(tǒng)進(jìn)行交互,為智慧城市的大數(shù)據(jù)應(yīng)用提供多種數(shù)據(jù)支持。

為了保障智慧燈桿各功能的高效、穩(wěn)定運(yùn)行以及數(shù)據(jù)的安全,必須要有高品質(zhì)、高性能的產(chǎn)品為其保駕護(hù)航,這對存儲等硬件也提出了更高標(biāo)準(zhǔn)和要求。

5G按下車聯(lián)網(wǎng)快進(jìn)鍵

車聯(lián)網(wǎng)是5G在智能網(wǎng)聯(lián)汽車領(lǐng)域的主要應(yīng)用場景之一。它是物聯(lián)網(wǎng)在交通領(lǐng)域的應(yīng)用,將車輛信息以網(wǎng)絡(luò)串接,運(yùn)用衛(wèi)星定位、傳感器、電子卷標(biāo)、無線網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)處理等技術(shù),對車輛、行人和道路環(huán)境等信息進(jìn)行辨識及傳遞,并將數(shù)據(jù)匯整于后端平臺,進(jìn)行智慧化管理和服務(wù)。

車聯(lián)網(wǎng)具有分布廣、環(huán)境復(fù)雜、數(shù)量龐大的特點(diǎn)。5G技術(shù)之下,海量數(shù)據(jù)的傳輸、存儲、分析等場景,將大幅改變汽車制造商對于汽車本地存儲容量的需求。此外,車聯(lián)網(wǎng)中重要的前提是“安全”,不光是行車安全,還涉及數(shù)據(jù)安全。這一切都需要更為安全、規(guī)范、可靠的系統(tǒng)和設(shè)備來支持,尤其是數(shù)據(jù)存儲。

5G時代的到來,讓本就龐大的數(shù)據(jù)規(guī)模迎來進(jìn)一步暴增,海量物聯(lián)網(wǎng)的感知層、連接速率的提升和時延的降低,極大地驅(qū)動了數(shù)據(jù)量的增長,帶來了巨大的存儲市場需求,如何高效存儲和管理這些海量數(shù)據(jù)是企業(yè)持續(xù)面臨的問題。

結(jié)合5G技術(shù)部署的趨勢來看,未來龐大的數(shù)據(jù)存儲需求將會要求工業(yè)級存儲解決方案具有更大的存儲容量、更高的傳輸性能以及更強(qiáng)大的可靠性和安全性。威剛工控作為嵌入式存儲行業(yè)專家,針對5G市場的行業(yè)需求,威剛工控推出新一代112層3D TLC閃存和DDR5高性能的工業(yè)級存儲解決方案,憑借優(yōu)異的存儲性能和超大容量可滿足各類5G應(yīng)用場景需求。

威剛工業(yè)級解決方案

智慧燈桿建議搭配產(chǎn)品

M.2 2242 SATA固態(tài)硬盤 – IM2S31C4

主要特點(diǎn):

- 112層3D TLC (BiCS5) 閃存

-高達(dá)3K寫入/擦除次數(shù),更加耐用可靠

-最高容量達(dá)1TB

-配有DRAM Buffer

-支持工業(yè)級耐寬溫: -40°C至 85°C

-支持Host Memory Buffer

-支持LDPC ECC糾錯機(jī)制、RAID Engine和端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)

-支持Thermal Throttling (溫控調(diào)頻)技術(shù)

產(chǎn)品介紹

支持Thermal Throttling(溫控調(diào)頻)技術(shù),通過自動調(diào)節(jié)存儲器溫度,尤其是對無風(fēng)扇裝置,可加強(qiáng)整機(jī)系統(tǒng)散熱效率;導(dǎo)入耗損平均(Wear Leveling)技術(shù),有效延長產(chǎn)品壽命,以符合工業(yè)系統(tǒng)所需。 配有DRAM Buffer(緩沖器),降低延遲、提升隨機(jī)讀寫性能。另一方面,以LDPC ECC糾錯機(jī)制和端到端數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)(End-to-End Data Protection) 確保傳輸可靠度,并提升數(shù)據(jù)完整性。

威剛工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品滿足不同行業(yè)客戶需求、提供全面優(yōu)質(zhì)的存儲解決方案,是威剛工控軟硬整合技術(shù)之本。為兼顧容量、成本和速度等多重優(yōu)勢,威剛研發(fā)團(tuán)隊(duì)導(dǎo)入SLC Cache技術(shù),在大容量TLC顆粒中,提高爆發(fā)性寫入能力;并推出「A+ SSDTool」監(jiān)測軟件,幫助客戶實(shí)時監(jiān)控產(chǎn)品剩余容量、使用壽命等健康狀態(tài);搭配智能溫控技術(shù),可透過溫度變化通知主機(jī)啟動防護(hù)機(jī)制。威剛也持續(xù)開發(fā)多種軟硬整合技術(shù)并導(dǎo)入產(chǎn)品,以增強(qiáng)工業(yè)應(yīng)用性能所需。

DDR5 SO-DIMM內(nèi)存

主要特點(diǎn):

-超高傳輸速度: 4800 MT/s

-高達(dá)32GB的大容量

-獨(dú)立電源管理芯片 (PMIC),提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)

-1.1V超低電壓,更加節(jié)能省電

-支持On-die ECC糾錯機(jī)制,數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定精準(zhǔn)

-30μ PCB鍍金層: 提高產(chǎn)品耐用性,延長其使用壽命

-定制化服務(wù): 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防膠(Conformal Coating),強(qiáng)化產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境中的耐用度

產(chǎn)品介紹

在4800 MT/s高速傳輸下,兼具1.1V超低電壓的優(yōu)點(diǎn),更加節(jié)能省電。威剛DDR5工業(yè)級內(nèi)存皆配有「電源管理IC (PMIC)」,通過將一個5V的電源管理IC從主板移至內(nèi)存上,可更有效率地讓電壓維持穩(wěn)定的電流輸入、提高內(nèi)存的可靠度和性能。為滿足5G應(yīng)用大量數(shù)據(jù)分析、深度學(xué)習(xí)與高效能運(yùn)算等需求,威剛DDR5工業(yè)級內(nèi)存還導(dǎo)入On-die ECC糾錯機(jī)制,以保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定精準(zhǔn)。

威剛可依客戶的行業(yè)需求提供多樣的增值服務(wù);例如30μ PCB鍍金層,能增強(qiáng)產(chǎn)品的耐用度和壽命;抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防膠(Conformal Coating)技術(shù),保護(hù)內(nèi)存裝置抵抗外在污染、灰塵或濕度所產(chǎn)生的不良影響,確保產(chǎn)品在惡劣的環(huán)境下都能可靠運(yùn)行,大幅度提升內(nèi)存的耐用度。

車聯(lián)網(wǎng)建議搭配產(chǎn)品

microSD存儲卡-IUDD33K

主要特點(diǎn):

-112層3D TLC (BiCS5) 閃存

-3K擦寫次數(shù) (P/E Cycle)

-支持工業(yè)級耐寬溫: -40°C至 85°C

-符合 V10 (攝像速度等級) 標(biāo)準(zhǔn)

-符合A2應(yīng)用程序級別 (APP Performance Class 2)

-支持LDPC ECC糾錯機(jī)制和耗損平均(Wear Leveling)技術(shù)

產(chǎn)品介紹

采用112層堆棧3D TLC閃存,擦寫次數(shù)(P/E Cycle)達(dá)3K次,提供優(yōu)異的耐用性和高容量。此外,還符合V10(攝像速度等級)標(biāo)準(zhǔn),可長時間錄制高清視頻;同時也符合A2應(yīng)用程序級別 (APP Performance Class 2),數(shù)據(jù)傳輸更加迅速流暢。支持 LDPC ECC糾錯機(jī)制,保障數(shù)據(jù)精準(zhǔn)傳輸,并支持耗損平均(Wear Leveling)技術(shù),將數(shù)據(jù)平均寫入?yún)^(qū)塊,能有效延長存儲卡壽命,具備高可靠性、兼容性和節(jié)能性。

DDR5 ECC SO-DIMM內(nèi)存

主要特點(diǎn):

-采用原廠高質(zhì)量內(nèi)存顆粒,以符合嚴(yán)格的工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)

-獨(dú)立電源管理芯片 (PMIC),提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)

-1.1V超低電壓,更加節(jié)能省電

-雙重糾錯機(jī)制: On-die ECC和Side-band ECC,數(shù)據(jù)傳輸更精準(zhǔn)

-30μ PCB鍍金層: 提高產(chǎn)品耐用性,延長使用壽命

-符合RoHS與JEDEC生產(chǎn)規(guī)范

- 定制化服務(wù): 抗硫化 (Anti-Sulfuration) 和三防膠 (Conformal Coating),強(qiáng)化產(chǎn)品在嚴(yán)苛環(huán)境中的耐用度

產(chǎn)品介紹

具備4800 MT/s高頻率和32GB高密度運(yùn)算效能的特性,能大幅提升系統(tǒng)實(shí)時運(yùn)算效率,降低網(wǎng)絡(luò)負(fù)載,可搭載1.1V的高低功耗,兼容英特爾第12代Alder Lake處理器。支持Side-band ECC和On-die ECC雙重糾錯機(jī)制,除了能自動糾正錯誤,也為信道上的數(shù)據(jù)傳輸過程提供端對端完整保護(hù),改善內(nèi)存的數(shù)據(jù)容錯能力,進(jìn)而提高準(zhǔn)確性。適用于高連接性的車聯(lián)網(wǎng)的實(shí)時聯(lián)機(jī)系統(tǒng),要求高準(zhǔn)確性的影像監(jiān)控與云端數(shù)據(jù)庫等。

產(chǎn)品皆通過嚴(yán)格的驗(yàn)證與測試,并提供多樣的增值防護(hù)技術(shù);例如30μ PCB鍍金層,增強(qiáng)產(chǎn)品的耐用度和壽命;抗硫化 (Anti-Sulfuration) 和三防膠 (Conformal Coating) 技術(shù),保護(hù)內(nèi)存抵御外在污染、灰塵或濕度所產(chǎn)生的不良影響,為工業(yè)設(shè)備提升對抗惡劣環(huán)境能力,大幅度提升內(nèi)存的耐用度。