基辛格表示，英特爾將在4年內(nèi)提高5個(gè)“節(jié)點(diǎn)”的生產(chǎn)能力，也就是5種晶體管尺寸，以迎頭趕上。

多年來，英特爾一直是半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，一直在生產(chǎn)世界上晶體管密度最大的芯片。但是近年來，英特爾已被臺積電和三星超越，后者目前可以生產(chǎn)包含5納米晶體管的處理器，而英特爾仍停留在10納米和7納米技術(shù)上。在基辛格上任后，英特爾的核心公司目標(biāo)之一是重回“性能領(lǐng)先”的地位。

在今天凌晨開始的創(chuàng)新大會(huì)上，CEO基辛格強(qiáng)調(diào)摩爾定律不會(huì)死，還會(huì)活得很好：“摩爾定律——至少在未來的十年里依然有效。英特爾將一往無前，挖掘元素周期表中的無限可能，持續(xù)釋放硅的神奇力量?！?/p>

基辛格表示，英特爾將在4年內(nèi)提高5個(gè)“節(jié)點(diǎn)”的生產(chǎn)能力，也就是5種晶體管尺寸，以迎頭趕上。Mxzednc

這五代工藝分別是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A，其中Intel7就是去年底12代酷睿上首發(fā)的工藝，13代酷睿也會(huì)繼續(xù)用，明年則會(huì)升級Intel4，首次支持EUV光刻工藝。

不過Intel真正在工藝上再次領(lǐng)先的是20A及18A兩代工藝，從20A開始進(jìn)入埃米級節(jié)點(diǎn)，放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管，相當(dāng)于友商的2nm、1.8nm水平。

同時(shí)Intel也會(huì)在20A、18A上首發(fā)兩大突破性技術(shù)，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel對GateAllAround晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。Mxzednc

該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

Intel18A制程PDK0.3版本現(xiàn)在已經(jīng)被早期設(shè)計(jì)客戶采用（PDK也就是工藝設(shè)計(jì)工具包），測試芯片正在設(shè)計(jì)中，將于年底流片。英特爾希望到2030年在一個(gè)芯片封裝上可以有1萬億個(gè)晶體管。