導(dǎo)讀:SK海力士宣布開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM)樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達8Gbps,較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。SK海力士技術(shù)團隊在設(shè)計產(chǎn)品時,以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ),利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)同時運行兩個內(nèi)存列。傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節(jié)的數(shù)據(jù),而在MCR DIMM模塊中,兩個內(nèi)存列同時運行可向CPU傳輸128個字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上,是單個DRAM的兩倍。該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。(全球TMT)
SK海力士宣布開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM)樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達8Gbps,較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。SK海力士技術(shù)團隊在設(shè)計產(chǎn)品時,以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ),利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)同時運行兩個內(nèi)存列。傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節(jié)的數(shù)據(jù),而在MCR DIMM模塊中,兩個內(nèi)存列同時運行可向CPU傳輸128個字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上,是單個DRAM的兩倍。該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。(全球TMT)