12 月 15 日消息，據(jù)電科裝備發(fā)布，電科裝備 48 所第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)取得重大突破，牽頭申報的“大尺寸超高真空分子束外延技術(shù)與裝備”項目，獲得國家科技部“高性能制造技術(shù)與重大裝備”重點專項立項。

分子束外延（MBE）裝備是先進材料與芯片制造的核心“母機”。48 所立足國家所需、行業(yè)所趨、電科所能，聚焦離子束、分子束、電子束“三束”技術(shù)，不斷推動半導(dǎo)體裝備核心技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，相繼開發(fā)了單片 4 英寸、6 英寸機型并實現(xiàn)應(yīng)用，為研制大尺寸 MBE 裝備打下了堅實技術(shù)基礎(chǔ)。

該項目將由 48 所聯(lián)合國內(nèi)高校、研究所及專業(yè)公司協(xié)同攻關(guān)，利用 48 所的技術(shù)優(yōu)勢，充分發(fā)揮國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）平臺作用，奮力突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)與工藝難題，為實現(xiàn)我國 MBE 技術(shù)和裝備的跨越式發(fā)展提供有力支撐。

此外由電科裝備 2 所牽頭申報的“超薄界面異質(zhì)異構(gòu)晶圓鍵合關(guān)鍵技術(shù)與裝備”項目，獲得國家科技部“高性能制造技術(shù)與重大裝備”重點專項立項。

該項目針對通信、新能源等領(lǐng)域?qū)π乱淮雽?dǎo)體器件迫切需求，由 2 所作為牽頭單位，聯(lián)合多所國內(nèi)高校、研究所及專業(yè)公司協(xié)同攻關(guān)，以國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心為紐帶，按照“鍵合機理研究、核心零部件研制、整機研發(fā)及器件應(yīng)用”四位一體研發(fā)思路推進實施，將有效降低鍵合界面熱阻，提高互連鍵合精度，解決技術(shù)瓶頸，提升器件性能。

“超薄界面異質(zhì)異構(gòu)晶圓鍵合關(guān)鍵技術(shù)與裝備”項目是 2 所在打造“國之重器 —— 晶圓鍵合設(shè)備”的基礎(chǔ)上，在制約核心科技能力提升基礎(chǔ)問題上奮勇攻關(guān)的又一重要節(jié)點，項目將為我國半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的快速發(fā)展提供有力支撐。