10 月 16 日消息，據(jù)科技日?qǐng)?bào)官方公眾號(hào)消息，近日，中國(guó)散裂中子源（CSNS）探測(cè)器團(tuán)隊(duì)利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專(zhuān)用裝置，成功制備出滿足中子探測(cè)器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品。

▲ 圖源科技日?qǐng)?bào)官方公眾號(hào)

經(jīng)過(guò)查詢得知，相關(guān)薄膜單片面積達(dá)到 1500mm×500mm，薄膜厚度 1 微米，全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于 ±1.32%，號(hào)稱是“目前國(guó)際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜”。

據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻關(guān)和工藝試制，攻克了濺射靶材制作、過(guò)渡層選擇、基材表面處理等對(duì)鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)計(jì)出了自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專(zhuān)用裝置。

研究人員利用該裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜，并成功應(yīng)用于 CSNS 多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷 GEM 中子探測(cè)器，從而實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化，為接下來(lái)研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。