技術(shù)
導(dǎo)讀:美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。
3 月 5 日消息,美光科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。
美光公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)。美光在演講中表示 DRAM 節(jié)點(diǎn)和沉浸式光刻分辨率問題,名為“Chop”的層數(shù)量不斷增加,這就意味著添加更多的曝光步驟,來取出密集存儲(chǔ)器陣列外圍的虛假結(jié)構(gòu)(dummy structures)。
美光公司表示由于光學(xué)系統(tǒng)本身性質(zhì),這些 DRAM 層的圖案很難用光學(xué)光刻技術(shù)進(jìn)行印刷,而納米打印方式可以用更精細(xì)的方式打印出來,且鑒于納米印刷技術(shù)應(yīng)用成本是沉浸式光刻技術(shù)的五分之一,因此是非常不錯(cuò)的解決方案。
納米印刷技術(shù)并不能在內(nèi)存芯片生產(chǎn)的所有階段取代傳統(tǒng)的光刻技術(shù),兩者并非純粹的競(jìng)爭關(guān)系,但該技術(shù)至少可以降低單個(gè)技術(shù)操作的成本。
IT之家此前報(bào)道,佳能 2023 年10 月公布 FPA-1200NZ2C 納米壓印光刻(NIL)半導(dǎo)體設(shè)備。佳能社長御手洗富士夫表示,納米壓印光刻技術(shù)的問世,為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟了一條新的途徑。
佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)經(jīng)理巖本和德表示,納米壓印光刻是指將帶有半導(dǎo)體電路圖案的掩模壓印在晶圓上,只需一個(gè)印記,就可以在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蓮?fù)雜的 2D 或 3D 電路圖案,因此只需要不斷改進(jìn)掩模,甚至能生產(chǎn) 2nm 芯片。