蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授李俊熙 

據(jù)韓國(guó)先驅(qū)報(bào)（The Korea Herald）報(bào)道，韓國(guó)技術(shù)信息部當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四宣布該國(guó)的一個(gè)研究小組發(fā)現(xiàn)了一種將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)容量提高1000倍的方法，同時(shí)提高了利用0.5納米工藝技術(shù)的可能性。

蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Ulsan National Institute of Science and Technology，UNIST）能源與化學(xué)工程教授李準(zhǔn)熙及其團(tuán)隊(duì)已將這一發(fā)現(xiàn)發(fā)表在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》上，并引起了同行及半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注。

UNIST團(tuán)隊(duì)由三星科學(xué)技術(shù)基金會(huì)資助，該團(tuán)隊(duì)的最新發(fā)現(xiàn)，將能使芯片制造商利用一種新的物理現(xiàn)象來(lái)制造更小的芯片，或者將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量擴(kuò)展1000倍。

據(jù)報(bào)道，李準(zhǔn)熙教授帶領(lǐng)的UNIST團(tuán)隊(duì)的研究發(fā)現(xiàn)了一種可以控制半導(dǎo)體材料中的單個(gè)原子，并進(jìn)一步增加微芯片存儲(chǔ)量以及突破芯片域尺寸極限的方法。（注：域是指成千上萬(wàn)個(gè)原子一起移動(dòng)以存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)或信號(hào)形式的數(shù)據(jù)的組。由于該領(lǐng)域的特性，很難在保持存儲(chǔ)容量的同時(shí)將存儲(chǔ)芯片的制造工藝技術(shù)從當(dāng)前的10nm級(jí)進(jìn)一步縮小。）

UNIST團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，通過(guò)將一滴電荷加到一種名為鐵電氧化ha（ferroelectric hafnium oxide，或HfO2）的半導(dǎo)體材料中，就可以控制四個(gè)單獨(dú)的原子來(lái)存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)（1 bit of data）。這就意味著，如果合理，可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)閃存模組中每平方厘米可以存儲(chǔ)500 TB的數(shù)據(jù)量，師當(dāng)前閃存芯片的1,000倍。