據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計(jì)在明年年中就將開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。外媒在報(bào)道中也提到，在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)一年之后，臺(tái)積電的這一制程工藝預(yù)計(jì)就將大規(guī)模量產(chǎn)。

從外媒的報(bào)道來(lái)看，臺(tái)積電正在研發(fā)之中的2nm制程工藝，在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)時(shí)，良品率就會(huì)相當(dāng)可觀。外媒間流傳的一份未注明來(lái)源的聲明顯示，臺(tái)積電方面預(yù)計(jì)2nm制程工藝的良品率，在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的2023年就將達(dá)到驚人的90%。

外媒在報(bào)道中提到，如果2nm工藝的良品率在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)期間就達(dá)到了90%，臺(tái)積電就能很好的改進(jìn)這一工藝，并推動(dòng)在2024年大規(guī)模量產(chǎn)。

臺(tái)積電正在推進(jìn)的2nm制程工藝，在晶體管的架構(gòu)方面將會(huì)有變化，不會(huì)繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），而會(huì)采用全新的多橋通道場(chǎng)效電晶體（MBCFET）架構(gòu)，也就是三星電子從3nm制程工藝就開(kāi)始采用的晶體管架構(gòu)，他們?cè)谌ツ?月份就已宣布，3nm制程工藝將采用多橋通道場(chǎng)效電晶體架構(gòu)設(shè)計(jì)。