1 月 2 日消息，英特爾最初其實是做 DRAM 存儲器起家的，而且一度成為存儲半導(dǎo)體技術(shù)的先驅(qū)，并在 1970 年成功造出了全球首款商用 1K Bit pMOS DRAM“Intel 1103”，但隨著后來日本廠商的崛起在 1984 年宣布退出該領(lǐng)域。

雖然不再研發(fā) DRAM 技術(shù)，但英特爾并不是完全與存儲技術(shù)割離開來，例如該公司后來還曾在IDF 2015上宣布與美光合作開發(fā) 3D XPoint 技術(shù)，將精力投入到 NAND Flash 領(lǐng)域，還研發(fā)了 Optane 傲騰硬盤，不過于沒幾年就將相關(guān)業(yè)務(wù)賣掉了。

英特爾子公司“英特爾聯(lián)邦有限責(zé)任公司”接受了美國能源部的委托，為桑迪亞國家實驗室開發(fā)一種新的內(nèi)存技術(shù)。據(jù)介紹，這種技術(shù)則是美國 AMT 高級內(nèi)存技術(shù)的一部分，主要用于超算領(lǐng)域，旨在加速模擬和計算應(yīng)用。

這種全新的 DRAM 技術(shù)還沒有明確的資料，但目前已經(jīng)選定幾款技術(shù)，整體看起來效能十分強大，比桑迪亞實驗室即將推出的 NNSA 超級電腦所使用的效能高出 40 倍。

據(jù)介紹，該項目由美國國家核安全管理局高級模擬和計算項目資助，與桑迪亞、洛斯阿拉莫斯、勞倫斯利弗莫爾三個國家實驗室合作，屬于NNSA 后百億億次級計算計劃投資組合的一部分，其目標(biāo)是維持技術(shù)研發(fā)勢頭以及通過其 PathForward計劃啟動的與行業(yè)的密切合作提高美國在下一代高性能計算技術(shù)方面的產(chǎn)業(yè)競爭力，培育更強大的國內(nèi)高性能計算生態(tài)系統(tǒng)。

Sandia 項目負責(zé)人 James H. Laros III 表示：“這項工作將側(cè)重于提高未來內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬和延遲特性，這將對各種 ASC 任務(wù)代碼的應(yīng)用程序性能產(chǎn)生直接影響”。

“我們已經(jīng)在預(yù)測下一代必須解決的未來平臺挑戰(zhàn)，”英特爾系統(tǒng)架構(gòu)和工程集團副總裁兼總經(jīng)理 Anil Rao 表示，“我們相信高級內(nèi)存技術(shù)計劃將幫助我們?yōu)橄乱粋€十年的創(chuàng)新提供支持?！?/p>

英特爾院士 Josh Fryman 表示：“我們正在重新思考 DRAM 的組織方式以及如何與計算平臺相結(jié)合以實現(xiàn)突破性性能的基本方面?！薄拔覀兇蛩阃ㄟ^研究桑迪亞、勞倫斯利弗莫爾和洛斯阿拉莫斯國家實驗室的科學(xué)家提出的最棘手的問題，從根本上推進計算機系統(tǒng)架構(gòu)。主流內(nèi)存并非為當(dāng)今的計算平臺而設(shè)計，這一多年的努力將幫助我們從基本 DRAM 設(shè)計本身中獲得數(shù)量級的性能提升，從而在所有行業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全新的性能等級。我們希望看到這些創(chuàng)新被納入行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以提升整個生態(tài)系統(tǒng)?！?/p>