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芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批已順利下線

2024-05-27 10:18 芯聯(lián)集成
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導(dǎo)讀:4月20日,芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批順利下線,這標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國內(nèi)首家開啟8英寸碳化硅的晶圓廠。

4月20日,芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批順利下線,這標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國內(nèi)首家開啟8英寸碳化硅的晶圓廠。

圖 | 8英寸碳化硅工程批順利下線現(xiàn)場

近兩年,新能源汽車、風(fēng)光儲能等市場發(fā)展,帶動碳化硅器件和模組的需求規(guī)模持續(xù)保持高速增長。而碳化硅器件產(chǎn)能的供不應(yīng)求、以及偏高的成本仍然阻礙著其進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。

目前,碳化硅單器件價格普遍在硅器件的4、5倍左右。碳化硅器件要能被廣泛采用,成本必須持續(xù)優(yōu)化,如今業(yè)內(nèi)的目標(biāo)是將碳化硅器件的成本降到硅器件的2.5倍甚至2倍以內(nèi)。

碳化硅器件實現(xiàn)產(chǎn)能優(yōu)勢及成本優(yōu)化的最佳路徑是將芯片制造從6英寸轉(zhuǎn)到8英寸。同時,提升良率、將器件類型從平面型轉(zhuǎn)向溝槽型也都將助力碳化硅整體成本的優(yōu)化。

芯聯(lián)集成在以上三個領(lǐng)域都在不斷發(fā)力。芯聯(lián)集成的碳化硅芯片一直保持著行業(yè)領(lǐng)先的高良率水平,與此同時,芯聯(lián)集成溝槽式碳化硅MOSFET研發(fā)已進(jìn)入驗證階段。如今,芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批已經(jīng)率先順利下線,這些重大進(jìn)展都將構(gòu)筑芯聯(lián)集成在碳化硅領(lǐng)域的不斷突破和持續(xù)領(lǐng)先。

芯聯(lián)集成不斷推動碳化硅器件性能提升、成本優(yōu)化,將滿足新能源汽車、風(fēng)光儲能領(lǐng)域企業(yè)對“降本增效”的追求,加速碳化硅進(jìn)入更大規(guī)模的應(yīng)用。這同時也將進(jìn)一步助推芯聯(lián)集成碳化硅業(yè)務(wù)今年實現(xiàn)超10億元營收的目標(biāo)。